Liên hệ
Tiếng Việt
Tiếng Anh
Thứ bảy, 07/12/2024
Contemporary Trends in Semiconductor Devices
Cập nhật vào: Thứ tư - 13/09/2023 05:13
Nhan đề chính: Contemporary Trends in Semiconductor Devices
Nhan đề dịch: Xu hướng hiện tại của thiết bị bán dẫn
Tác giả: Rupam Goswami, Rajesh Saha
Nhà xuất bản: Springer Singapore
Năm xuất bản: 2022
Số trang: 312 tr.
Ngôn ngữ: Tiếng Anh
ISBN: 978-981-16-9124-9
SpringerLink
Lời giới thiệu: Cuốn sách này đề cập đến sự phát triển, khái niệm và ứng dụng của các thiết bị bán dẫn hiện đại như tranzito hiệu ứng trường xuyên hầm (TFET), MOSFET siêu mỏng thẳng đứng, FET cảm biến ion (ISFET), pin mặt trời thế hệ mới, thiết bị cơ quang điện tử và tranzito màng mỏng (TFT). Bao gồm lý thuyết, thử nghiệm và ứng dụng của các thiết bị, các chương trong cuốn sách mô tả những phương pháp và kỹ thuật tiên tiến giúp ích rất nhiều cho việc xây dựng một cái nhìn tổng thể về các công nghệ mới nổi và trong lĩnh vực nghiên cứu. Cuốn sách nhắm đến các sinh viên, những người có đam mê và các nhà nghiên cứu hiện đang làm việc với các thiết bị trong kỷ nguyên của các thiết bị bán dẫn hiện đại. Ngoài ra, các chương trong cuốn sách được trình bày rõ ràng, mang tính mô tả, đồng thời có tiềm năng trong vai trò là sách tham khảo cho các sinh viên đang học đại học, những người đang tìm kiếm một nghề nghiệp triển vọng trong lĩnh vực thiết bị bán dẫn.
Từ khóa: Pin mặt trời, bán dẫn, tranzito, cảm biến, MOSFET
Nội dung cuốn sách gồm những phần sau:
- Giới thiệu
Lý thuyết
- Khái niệm sơ lược về MOSFET siêu mỏng thẳng đứng (VSTB)
- Ảnh hưởng của tiếng ồn và nhiệt độ đến hiệu suất của Ferro-Tunnel FET
- Giới thiệu về các ứng dụng quang điện từ góc độ chế tạo và vật liệu hữu cơ
- Sự phát triển gần đây và triển vọng trong tương lai của pin mặt trời hấp phụ chất nhạy quang cố định và linh hoạt: Đánh giá
- Lý thuyết về pin mặt trời Kesterite cấu trúc nano
Thí nghiệm
- Tế bào năng lượng mặt trời nhạy quang dựa trên vật liệu nano
- Tham số lệch ngang và tác động của nó đối với FET đường hầm nguồn xếp chồng dị loại
- Chế tạo các cấu trúc dị thể ZnO và ZnO cho các ứng dụng cảm biến khí
- Tầm quan trọng của việc định vị tối ưu điện cực tham chiếu cho ISFET
Các ứng dụng
- Kết nối tốc độ cao làm bằng vật liệu composite cho ứng dụng VLSI
- Thiết kế mạch pixel được lập trình điện áp cho màn hình AMOLED
- Mạch logic quang có thể lập trình lại bằng thiết bị cơ quang điện tử
- SELBOX TFET và DTD TFET cho các ứng dụng DC và RF/Analog
Nhan đề dịch: Xu hướng hiện tại của thiết bị bán dẫn
Tác giả: Rupam Goswami, Rajesh Saha
Nhà xuất bản: Springer Singapore
Năm xuất bản: 2022
Số trang: 312 tr.
Ngôn ngữ: Tiếng Anh
ISBN: 978-981-16-9124-9
SpringerLink
Lời giới thiệu: Cuốn sách này đề cập đến sự phát triển, khái niệm và ứng dụng của các thiết bị bán dẫn hiện đại như tranzito hiệu ứng trường xuyên hầm (TFET), MOSFET siêu mỏng thẳng đứng, FET cảm biến ion (ISFET), pin mặt trời thế hệ mới, thiết bị cơ quang điện tử và tranzito màng mỏng (TFT). Bao gồm lý thuyết, thử nghiệm và ứng dụng của các thiết bị, các chương trong cuốn sách mô tả những phương pháp và kỹ thuật tiên tiến giúp ích rất nhiều cho việc xây dựng một cái nhìn tổng thể về các công nghệ mới nổi và trong lĩnh vực nghiên cứu. Cuốn sách nhắm đến các sinh viên, những người có đam mê và các nhà nghiên cứu hiện đang làm việc với các thiết bị trong kỷ nguyên của các thiết bị bán dẫn hiện đại. Ngoài ra, các chương trong cuốn sách được trình bày rõ ràng, mang tính mô tả, đồng thời có tiềm năng trong vai trò là sách tham khảo cho các sinh viên đang học đại học, những người đang tìm kiếm một nghề nghiệp triển vọng trong lĩnh vực thiết bị bán dẫn.
Từ khóa: Pin mặt trời, bán dẫn, tranzito, cảm biến, MOSFET
Nội dung cuốn sách gồm những phần sau:
- Giới thiệu
Lý thuyết
- Khái niệm sơ lược về MOSFET siêu mỏng thẳng đứng (VSTB)
- Ảnh hưởng của tiếng ồn và nhiệt độ đến hiệu suất của Ferro-Tunnel FET
- Giới thiệu về các ứng dụng quang điện từ góc độ chế tạo và vật liệu hữu cơ
- Sự phát triển gần đây và triển vọng trong tương lai của pin mặt trời hấp phụ chất nhạy quang cố định và linh hoạt: Đánh giá
- Lý thuyết về pin mặt trời Kesterite cấu trúc nano
Thí nghiệm
- Tế bào năng lượng mặt trời nhạy quang dựa trên vật liệu nano
- Tham số lệch ngang và tác động của nó đối với FET đường hầm nguồn xếp chồng dị loại
- Chế tạo các cấu trúc dị thể ZnO và ZnO cho các ứng dụng cảm biến khí
- Tầm quan trọng của việc định vị tối ưu điện cực tham chiếu cho ISFET
Các ứng dụng
- Kết nối tốc độ cao làm bằng vật liệu composite cho ứng dụng VLSI
- Thiết kế mạch pixel được lập trình điện áp cho màn hình AMOLED
- Mạch logic quang có thể lập trình lại bằng thiết bị cơ quang điện tử
- SELBOX TFET và DTD TFET cho các ứng dụng DC và RF/Analog
