Bộ nhớ từ trở tích hợp sử dụng hiệu ứng truyền tải spin: Một công nghệ mới triển vọng để xây dựng hệ thống tính toán hiệu suất cao và tiết kiệm năng lượng
Xuất phát từ định hướng khai thác tối đa lợi thế của công nghệ STT-MRAM trong kiến trúc tính toán trong bộ nhớ (Logic-in-Memory - LiM), TS. Trịnh Quang Kiên cùng các cộng sự tại Học viện Kỹ thuật Quân sự đã thực hiện đề tài nghiên cứu: "Bộ nhớ từ trở tích hợp sử dụng hiệu ứng truyền tải spin: Một......
Liên hệ
Tiếng Việt
Tiếng Anh











